本报讯 日前，SK海力士表示，其成功研发出以20纳米级8GBDDR4为基础的超大容量128GB模块。该产品预计在2015年上半年开始量产。
　　该DDR4模块采用了TSV技术，其容量是目前最大容量64GB的两倍。在速度方面，明显高于DDR3数据传输速度1333Mbps，达2133Mbps。同时，通过具有64个输入、输出端口(I/O)的模块，每秒能够处理17GB的数据。工作电压则从现有DDR3的1.35伏降低至1.2伏，更加节能。
　　SK海力士DRAM研发相关负责人表示：“全球首款128GBDDR4模块研发的意义主要在于继续开拓超大容量服务器市场。未来，SK海力士还将继续研发出大容量、高速、低能耗的产品，以引领高端DRAM市场的发展。”据行业权威市场调查机构Gartner最新统计结果显示，服务器内存DRAM市场将随着移动设备市场的发展而快速增长，预计到2018年持续保持年平均37%的增长势头。
（夏冰）