本报讯 据悉，从本月起三星电子将在全球率先量产采用“ToggleDDR2.0”标准的20纳米级超高速MLC NAND Flash，今后 NANDFlash全线产品将采用“ToggleDDR2.0”。这是三星电子继2009年全球率先量产利用133Mbp传输速度启动的 30纳米级32GbToggleDDR1.0MLCNANDFlash之后，今年再次于全球率先量产400Mbps传输速度的 64GbToggleDDR 2.0MLCNANDFlash新品。
　　据悉，ToggleDDR 2.0NANDFlash具有高性能、大容量的特点，能够实现400Mbps数据处理速度，比通用NANDFlash快10倍。有分析认为，ToggleDDR 2.0NAND Flash的推出有望扩大4G智能手机、平板电脑、SSD等高速NAND市场，通过应用新一代规格，ToggleDDR 2.0或将主导整个NANDFlash市场的高速发展。
　　业内人士表示，64GbToggleDDR 2.0MLC NAND Flash是用在搭载比现有速度快一倍的USB3.0,有望成为SATA6Gbps等下一代界面、大容量产品上最合适的NANDFlash方案。
　　据推测，智能手机、SSD、存储卡等的生产厂商将从今年下半年开始推出各种基于 64Gb高速 NANDFlash的高性能、大容量产品，受此影响高速NANDFlash的市场比重有望大幅增长。目前20纳米级64GbMLCNANDFlash不仅生产效率上比去年4月全球率先量产的20纳米级32GbMLCNANDFlash提高了50%以上，而且成本竞争力也比30纳米级32GbMLCNANDFlash提高了2倍以上。
　　三星电子半导体事业部存储战略营销部负责人洪完勋副董事长说：“通过这次 20纳米级 64Gb高速NANDFlash的量产，三星电子将主导高速增长中的4G超高速智能手机甚至大容量6.0GbpsSSD市场。”洪完勋还表示：“今后三星还将适时推出更快的大容量下一代 ToggleDDR NANDFlash和解决方案，让消费者能够在更高速的移动设备上尽情体验各种各样的服务。”
　　根据市场调查机构预测，预计到2015年，NANDFlash内存以2010年数量为基准，有望实现年均54%的增长速度，64Gb以上的产品比重也将从2010年的3%大幅提高到2012年的70%，实现飞跃式增长。(李 碧）